单片机怎么控制可控硅

单片机控制可控硅的方法主要分为以下几个步骤：

硬件连接

将单片机的I/O口与可控硅的控制极（G端）相连。

确保电源和负载正确连接。如果使用双向可控硅，需要特别注意G端电平的控制，以实现双向导通和关断。

编写程序

使用单片机的编程语言（如C语言）编写控制程序。

在程序中，设置相应的I/O口为输出模式，并将其电平控制为高电平或低电平，以触发或关断可控硅。

触发可控硅

将控制极（G端）的电平设置为高电平，发送触发信号给可控硅，使其导通。

触发信号的宽度和频率可以通过单片机进行调整，以控制可控硅的导通时间。

关断可控硅

将控制极（G端）的电平设置为低电平，发送关断信号给可控硅，使其关断。

关断信号的发送也可以通过单片机编程实现，通常在负载电流为零（交流电压过零点）时进行。

过零检测与延时

对于交流负载，需要检测交流信号的过零点，然后延时一定时间后输出触发脉冲，使可控硅导通。

延时时间的长短直接影响可控硅的导通时间，从而影响输出电压或功率。

保护措施

对于感性负载，需要考虑过压保护和电流限制，以防止可控硅因过流或过压而损坏。

可以采用压敏电阻、电感等元件进行保护，并在单片机程序中加入相应的保护逻辑。

示例代码（以BTA41为例）

include "stm32f10x.h"

define G_PIN GPIOB, 5 // 控制极连接到PB5

define AC_PIN GPIOB, 6 // 交流信号输入

void delay_ms（uint16_t ms） {